初步数据表
硅晶体管
PA800T
高频率的低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
（带内置2个元素） MINI模具
该
PA800T还内置了2个低电压晶体管被设计
以放大的低噪声在VHF频带到UHF频带。
封装图纸
（单位：毫米）
2.1±0.1
1.25±0.1
特点
- 低噪声
0.65 0.65
1.3
高增益
|S
21e
|
2
= 6.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫，V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安
一个小型模具包领养
内置2个晶体管（ 2
×
2SC4228)
2.0±0.2
2
3
0.7
产品型号
QUANTITY
松散产品
（ 50 PCS ）
包装方式
压纹带8mm宽。引脚6 （ Q1
基地） ，引脚5 （ Q2基极） ，引脚4 （ Q2发射极）
面对带的穿孔侧。
PA800T
引脚配置（顶视图）
PA800T-T1
编带产品
（ 3 KPCS /卷）
6
Q
1
5
0~0.1
4
备注
如果您需要评估样品，请联系NEC
销售代表。 （单位样本数量为50个。 ）
1
2
Q
2
3
绝对最大额定值（T
A
= 25
°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
等级
20
10
1.5
35
在1单元150
200的2个元素
记
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
引脚连接
1.收集器（ Q1 ）
4.发射器（ Q2 ）
2.发射器（ Q1 ）
5.基地（ Q2 ）
3.收集器（ Q2 ）
6.基地（ Q1 ）
结温
储存温度
T
j
T
英镑
C
C
记
110毫瓦不得超过1元。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
文件编号ID- 3634
（外径号ID- 9141 ）
发布日期1995年P月
日本印刷
0.15
–0
+0.1
订购信息
0.9±0.1
4
5
0.2
–0
1
6
NF = 1.9 dB典型值。 @ F = 2千兆赫，V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安
+0.1
X Y
1995
