功率晶体管
2SB934
PNP硅外延平面型
对于开关电源
补充2SD1257
10.0±0.3
1.5±0.1
8.5±0.2
6.0±0.5
3.4±0.3
单位：mm
1.0±0.1
s
特点
q
q
q
q
1.5max.
1.1max.
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
的盼着电流传输比H良好的线性
FE
大的集电极电流I
C
N型包使散热片直接焊接到
在印刷电路板，小型电子设备等。
(T
C
=25C)
评级
–130
–80
–7
–15
–7
40
1.3
150
-55到+150
单位
V
10.5min.
2.0
0.8±0.1
0.5max.
2.54±0.3
5.08±0.5
1
2
3
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
N型套餐
单位：mm
3.4±0.3
1.0±0.1
8.5±0.2
6.0±0.3
1.5
–0.4
A
2.0
3.0
–0.2
A
W
4.4±0.5
0.8±0.1
2.54±0.3
R0.5
R0.5
1.1最大。
00.4
5.08±0.5
C
C
1
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
N型封装（ DS ）
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
C
= -3A ，我
B1
= - 0.3A ，我
B2
= 0.3A
条件
V
CB
= -100V ，我
E
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
I
C
= -10mA ，我
B
= 0
V
CE
= -2V ，我
C
= – 0.1A
V
CE
= -2V ，我
C
= –3A
I
C
= -5A ，我
B
= – 0.25A
I
C
= -5A ，我
B
= – 0.25A
V
CE
= -10V ，我
C
= - 0.5A ， F = 10MHz时
30
0.5
1.5
0.1
–80
45
90
260
– 0.5
–1.5
V
V
兆赫
s
s
s
民
典型值
最大
–10
–50
单位
A
A
V
FE2
等级分类
Q
90至180
P
130 260
秩
h
FE2
4.4±0.5
14.7±0.5
V
10.0±0.3
V
+0.4
+0
1
