2SB649 ， 2SB649A
直流电流传输比
与集电极电流
V
CE
= –5V
TA = 75
°C
25
°C
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
–1.2
I
C
= 10 I
B
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–0
–1
350
直流电流传输比H
FE
350
250
200
150
100
50
–25°C
Ta
–100
–10
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE
= –5 V
80
40
0
–10
=7
–25
25
–1,000
增益带宽积
与集电极电流
–100
–300
–30
集电极电流I
C
（MA ）
0
–1
–10
–100
–1,000
集电极电流I
C
（MA ）
基地发射极饱和电压
与集电极电流
–1.2
基地发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
(V)
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–0
–1
TA =
C
–25
°
25
75
240
增益带宽乘积F
T
（兆赫）
I
C
= 10 I
B
200
160
120
5
°
C
–1,000
–10
–100
集电极电流I
C
（MA ）
–1,000
5
