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PC8126GR
注意正确使用的
（ 1 ）遵守预防措施处理，因为静电敏感器件。
（ 2 ）形成接地方式尽可能广泛地最小化接地阻抗（防止不期望的振动） 。
（ 3）保持的接地引脚尽可能短的轨迹长度。
（ 4 ）一个旁路电容（如1 000 pF的）连接到V
CC
引脚。
推荐焊接条件
本品应焊接在以下推荐的条件。
其它焊接方法和
比推荐条件条件与销售代表进行咨询。
PC8126GR
焊接工艺
红外线回流
焊接条件
峰值包的表面温度： 235
°C
以下，
回流时间：30秒或以下（210
°C
或更高版本）
记
回流焊工艺数：2 ，曝光限制：无
峰值包的表面温度： 215
°C
以下，
回流时间： 40秒以下（200
°C
或更高）的
记
回流焊工艺数：2 ，曝光限制：无
焊锡温度： 260
°C
以下，
流动时间：10秒或以下，
记
流动过程数：1 ，暴露限制：无
端子温度： 300
°C
以下，
流动时间：3秒/针或以下，
记
暴露限制：无
符号
IR35-00-2
VPS
VP15-00-2
波峰焊
WS60-00-1
局部加热法
记
干后包封装在焊接之前曝光的限制被打开。
储存条件： 25
°C
在65 ％以下，相对湿度。
注意事项仅适用于单个进程一次，除了'局部加热法' 。
对于推荐的焊接条件的详情表面安装，请参阅信息
文件半导体器件安装技术手册（ C10535E ） 。
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数据表P11487EJ2V0DS00
