ON Semiconductort
高功率NPN硅
晶体管
。 。 。在工业，军用功率放大器，专为使用，
开关电路应用。
高集电极发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值） - 2N6338
= 150伏直流（最小值） - 2N6341
高直流电流增益 -
h
FE
= 30 – 120 @ I
C
= 10位ADC
= 12 （分） @我
C
= 25 ADC
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 1.0伏（最大） @我
C
= 10位ADC
快速开关时间@我
C
= 10位ADC
t
r
= 0.3毫秒（最大值）
t
s
= 1.0毫秒（最大值）
t
f
= 0.25毫秒（最大值）
*最大额定值
等级
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
PEAK
基极电流
符号
V
CB
V
EB
I
C
V
首席执行官
2N6338
120
100
2N6338
2N6341*
·安森美半导体首选设备
25安培
功率晶体管
NPN硅
100 ，120， 140 ， 150伏
200瓦
PD ，功耗（瓦）
2N6341
180
150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
6.0
25
50
10
I
B
ADC
器件总功耗
@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
P
D
200
1.14
瓦
W / ℃，
_C
工作和存储结
温度范围
T
J
, T
英镑
-65到+200
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
热特性
特征
符号
θ
JC
最大
单位
热阻，结到外壳
*表示JEDEC注册的数据。
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
0.875
° C / W
25
50
75
100
125
150
175
200
T
C
，外壳温度（ ° C）
图1.功率降额
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年5月 - 10牧师
出版订单号：
2N6338/D
