ON Semiconductort
2漏
JFET放大器
P沟道 - 耗尽
最大额定值
等级
漏极 - 栅极电压
反向栅源电压
正向栅电流
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
结温范围
存储通道温度范围
符号
VDG
VGSR
IG （ F）
PD
TJ
TSTG
3
门
1来源
2N5460
2N5461
2N5462
价值
40
40
10
350
2.8
-65到+135
-65到+150
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1
2
3
CASE 29-11 ，风格7
TO-92 （TO- 226AA ）
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
栅源击穿电压
（ IG = 10
μAdc ，
VDS = 0）的
门反向电流
（ VGS = 20伏直流电， VDS = 0 ）
（ VGS = 30伏直流电， VDS = 0 ）
（ VGS = 20伏直流电， VDS = 0 ， TA = 100 ° C）
（ VGS = 30伏直流电， VDS = 0 ， TA = 100 ° C）
门源截止电压
（ VDS = 15 VDC ， ID = 1.0
μAdc ）
栅源电压
（ VDS = 15 VDC ， ID = 0.1 MADC ）
（ VDS = 15 VDC ， ID = 0.2 MADC ）
（ VDS = 15 VDC ， ID = 0.4 MADC ）
V（ BR ） GSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
IGSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
VGS （关闭）
—
—
0.75
1.0
1.8
0.5
0.8
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
1.0
6.0
7.5
9.0
4.0
4.5
6.0
NADC
μAdc
VDC
40
—
—
VDC
VGS
VDC
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 第3版
出版订单号：
2N5460/D
