飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
2N2907
I
CBO
集电极截止电流
2N2907A
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
2N2907
I
E
= 0; V
CB
=
50
V
I
E
= 0; V
CB
=
50
V ;牛逼
AMB
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
V
CE
=
10
V
I
C
=
0.1
mA
I
C
=
1
mA
I
C
=
10
mA
I
C
=
150
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;注1
h
FE
直流电流增益
2N2907A
V
CE
=
10
V
I
C
=
0.1
mA
I
C
=
1
mA
I
C
=
10
mA
I
C
=
150
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;注1
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
2
V ; F = 1 MHz的
参数
集电极截止电流
I
E
= 0; V
CB
=
50
V
I
E
= 0; V
CB
=
50
V ;牛逼
AMB
= 150
°C
条件
2N2907 ; 2N2907A
分钟。
35
50
75
100
30
75
100
100
100
50
马克斯。
20
20
10
10
50
300
单位
nA
A
nA
A
nA
300
400
1.6
1.3
2.6
mV
V
V
V
pF
pF
兆赫
200
8
30
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
20
V ; F = 100 MHz的;
注1
（ 10％至90％的水平）的切换时间;
见图2
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
I
CON
=
150
毫安;我
BON
=
15
毫安;我
B关
= 15毫安
45
15
35
300
250
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1997年5月30日
4
