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电气特性@ TJ = 25
°
C
符号
参数
条件
最小最大单位
开关特性
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
V（ BR ） CEO
冰
ICBO1
IEBO
击穿电压，集电极基
击穿电压，发射器基
击穿电压，集电极到发射极
集电极到发射极截止电流
集电极基截止电流
发射基地的截止电流
偏电导率。 D， IC = 10uAdc
偏电导率。 D， IE = 10uAdc
偏电导率。 D， IC = 10mAdc ，脉冲
偏电导率。 D， VCE = 50V直流
偏电导率。 D， VCB = 50V直流
偏电导率。 D， VEB = 4Vdc电压
60
5
60
VDC
VDC
VDC
50 NADC
10 NADC
50 NADC
基本特征
hFE1
hFE2
hFE3
hFE4
hFE5
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
VCE = 10V直流， IC = 0.1mAdc
VCE = 10V直流， IC = 1.0mAdc
VCE = 10V直流， IC = 10mAdc
VCE = 10V直流， IC = 150mAdc ，脉冲
VCE = 10V直流， IC = 500mAdc ，脉冲
IC = 150mAdc ， IB = 15mAdc ，脉冲
IC = 500mAdc ， IB = 50mAdc ，脉冲
IC = 150mAdc ， IB = 15mAdc ，脉冲
IC = 500mAdc ， IB = 50mAdc ，脉冲
75
100
100
100
50
450
300
0.4
1.6
1.3
2.6
VDC
VDC
VDC
VDC
0.6
小信号特性
的hFE
/ HFE /
科博
CIBO
短路正向电流XFER比
短路正向的幅度
电流传输比
输出电容
输入电容
VCE = 10V直流， IC = 1mAdc中，f = 1kHz时
VCE = 20VDC ， IC = 50mAdc ， F = 100MHz的
VCB = 10V直流， IE = 0 ， 100kHz< F <1MHz
VEB = 2.0Vdc ， IC = 0 ， 100kHz< F <1MHz
100
2
8 pF的
30 pF的
开关特性
吨
花花公子
饱和导通时间
饱和的关断时间
作为291分之19500图7中定义
作为291分之19500图8中定义
45纳秒
300纳秒
2
