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EDI88130CS
HI-可靠性产品
128Kx8单片SRAM ， SMD 5962-89598
特点
s
15 * ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns存取时间
s
电池备份操作
?? 2V数据保留（ EDI88130LPS ）
s
CS
1
， CS
2
& OE功能的总线控制
s
输入和输出直接TTL兼容
s
组织为128Kx8
s
商用，工业和军用温度范围
s
通孔和表面贴装封装引脚JEDEC
32引脚Sidebrazed陶瓷DIP ， 400密耳（ 102包）
32引脚Sidebrazed陶瓷DIP ， 600密耳（包9 ）
32铅陶瓷SOJ （ 140包）
32片陶瓷LCC四（包12 ）
32片陶瓷LCC （ 141包）
32铅陶瓷扁平封装（封装142 ）
该EDI88130CS是一个高速，高性能， 128Kx8位
整体静态RAM 。
另外一个芯片使能线提供了系统内存的安全性
断电在非电池时备份系统和内存
银行在高速电池供电的系统中大量mul-
的存储器tiple页是必需的。
该EDI88130CS有八个双向输入输出线
提供同时访问所有的位在一个字。
低功耗版本， EDI88130LPS ，提供2V数据保留
功能的电池备份应用程序。
军工产品可符合MIL -PRF- 38535 。
* 15ns的存取时间是先进的信息，请联系工厂。
s
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
图。 1
引脚配置
32 DIP
32 SOJ
32 CLCC
32 FLATPACK
32 QUAD LCC
引脚说明
I / O
0-7
A
0-16
WE
CS
1
， CS
2
29
28
27
26
25
24
23
22
21
顶视图
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
CS
2
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（ + 5V
±10%)
地
没有连接
顶视图
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
I / O-
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32 V
CC
31 A15
30 CS2
29我们
28 A13
27 A8
26 A9
25 A11
24 OE
23 A10
22 CS1
21 I / O7
20 I / O6
19 I / O5
18 I / O4
17 I / O3
4
3
2
1
32
31
30
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
1
I / O
7
OE
V
CC
V
SS
NC
框图
存储阵列
I / O
1
I / O
2
V
SS
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
A
-16
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
-7
WE
CS
1
CS
2
OE
2001年7月10牧师
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
