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EDI88128C
128Kx8单片SRAM ， SMD 5962-89598
n
70访问时间， 85 ， 100纳秒
n
可提供单芯片选择（ EDI88128 ）或双
片选（ EDI88130 ）
n
2V数据保留（ LP版本）
n
CS和OE功能的总线控制
n
TTL兼容的输入和输出
n
完全静态的，并没有时钟
n
组织为128Kx8
n
工业，军用和商用温度范围
n
通孔和表面贴装封装引脚JEDEC
32引脚陶瓷DIP ， 0.6密耳宽（包9 ）
32引线陶瓷SOJ （ 140包）
n
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
特点
该EDI88128C是一个高速，高性能，单 -
岩屑CMOS静态RAM组织为128Kx8 。
该装置也可作为EDI88130C与附加
片选线（ CS2 ），它会自动关机
当适当的逻辑电平被施加的设备。
第二芯片选择线（ CS 2 ），可用于提供
在非电池掉电系统内存的安全性
备份系统和内存simplifiy解码方案
在需要大的多个页面的存储器的银行。
该EDI88128C和EDI88130C有八个双向
输入输出线提供同时访问所有
位在一个字。自动关机功能允许
芯片上的电路进入一个非常低的待机模式和
可以以一定速度等于所述带回到操作
地址访问时间。
低功率版本， EDI88128LP和EDI88130LP ，提供
2V数据保存功能，备用电池opperation 。
军工产品可符合附录A的
MIL-PRF-38535.
F
IG
. 1
P
IN
C
ONFIGURATION
P（D）
IN
ESCRIPTION
32 DIP
32 SOJ
I / O
0-7
A
0-16
WE
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V± 10％）的
地
没有连接
T
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
I / O-
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
OP
V
IEW
CS
1
， CS
2
32 V
CC
31 A15
30 NC / CS2 *
29我们
28 A13
27 A8
26 A9
25 A11
24 OE
23 A10
22 CS1
21 I / O7
20 I / O6
19 I / O5
18 I / O4
17 I / O3
OE
V
CC
V
SS
NC
B
LOCK
D
IAGRAM
*引脚30是NC的88128或CS2为88130 。
1
2002年3月16牧师
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