28F010
3.0
3.1
设计注意事项
两线输出控制
3.3
V
PP
微量元素对印刷电路
板
E
闪存常用于较大的内存使用
阵列。英特尔提供两个读控制输入
容纳多个内存连接。双
线控制为：
一。最低的内存功耗
而且，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
为了有效地使用这两个控制输入，一个
地址译码器输出应驱动芯片使能，
而该系统的读信号控制所有的闪光灯
回忆和其他并行的回忆。这
确保只有启用的存储设备有
主动输出，同时取消选择的设备维护
低功耗待机状态。
编程闪存，而他们居住在
目标系统，需要在印刷电路
电路板设计人员要注意V
PP
动力
电源走线。在V
PP
针供给存储单元
电流进行编程。使用类似的走线宽度
和布局的考虑给出的V
CC
电源总线。
充足的V
PP
电源走线和去耦意志
降低V
PP
电压尖峰和过冲。
3.4
上电/下保护
该28F010的目的是提供保护，防止
在电源意外擦除或编程
转场。上电时，该28F010是
冷漠的哪个电源，V
PP
或V
CC
,
上电第一。电源排序不
所需。在28F010也保证了内部电路
该命令寄存器被复位到读模式
上电。
系统设计人员必须警惕主动写
对于V
CC
电压高于V
LKO
当V
PP
是活动的。
由于两个WE＃和CE ＃必须是低了
命令写，要么开车到V
IH
会抑制
写道。控制寄存器架构提供了一个
保护自变更的内存添加水平
内容只出现成功完成后，
两步骤的命令序列。
3.2
电源去耦
闪存的电源开关特性
需要小心的设备去耦。系统
设计师有兴趣在三个电源电流
(I
CC
）问题待机，主动和瞬态电流
坠落和芯片级上升沿产生的峰
启用。对电容和电感的负载
设备的输出确定这些幅值
峰。
两线控制和适当的去耦电容
选择将抑制瞬态电压尖峰。
每个设备都应该有一个0.1 μF的陶瓷
电容器连接V之间
CC
和V
SS
和
V之间
PP
和V
SS
.
将高频率，低固有电感
电容尽可能接近到设备。
此外，每八台设备，一个4.7 μF的电解
电容应放置在阵列的电源
电源连接，在V
CC
和V
SS
。大头
电容会克服了电压衰退
印刷电路板走线电感，并且将
根据需要提供电荷的小电容。
3.5
28F010功耗
在设计便携式系统，设计人员必须
不仅在考虑电池电量消耗
设备的操作，但也用于在数据保留
系统空闲时间。闪存非易失性增加
您的系统，因为可用的电池寿命
28F010不消耗任何电源来保存
代码或数据时，系统处于关闭状态。表4
说明在更新时的功耗
28F010.
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