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E
3.0
4兆位SmartVoltage BOOT块系列
产品系列原则
操作
3.2
3.2.1
读操作
读阵列
闪存存储器EPROM相结合的功能与
电路中的电写入和擦除。引导块
闪存系列采用命令的用户界面
（ CUI） ，并自动算法来简化写
和擦除操作。崔允许100 ％
TTL电平控制输入端，固定电源
擦除和编程，并在最大
EPROM的兼容性。
当V
PP
＆ LT ; V
PPLK
，该设备将只成功
执行以下命令：读阵列，
读状态寄存器，清除状态寄存器和
智能识别模式。该装置提供
标准EPROM读，待机和输出禁止
操作。制造商标识及设备
识别数据可以通过崔访问
或者通过标准的EPROM中的
9
高压
访问（V
ID
）为PROM编程设备。
同样的EPROM读，待机和输出
禁用功能可在5V或12V的
施加于V
PP
引脚。此外， 5V或12V上
V
PP
允许写入和擦除的设备。所有
以改变存储内容相关的功能：
编程和擦除，智能识别码读取，并
阅读状态是通过崔访问。
内部写状态机（ WSM ）完全
自动编程和擦除，开始操作
由崔信号，并通过报告状态
状态寄存器。崔处理WE＃
接口的数据和地址锁存器，以及
作为WSM操作过程中系统状态的请求。
当从V RP ＃转换
IL
（重置）至V
IH
中，
设备将在所读取的阵列模式和将
响应于读控制输入端（ CE＃ ，地址
输入， OE ＃ ）没有任何命令是
写入CUI 。
当该装置是在所读取的阵列模式，五
控制信号必须被控制在获得数据
的输出。
RP ＃必须是逻辑高电平（V
IH
)
WE＃必须为逻辑高电平（V
IH
)
BYTE ＃必须是逻辑高或逻辑低
CE ＃必须为逻辑低电平（V
IL
)
OE为逻辑低电平（V
IL
)
此外，所期望的存储单元的地址要
施加给地址引线。参阅图15
和16的这些精确的顺序和定时
信号。
如果该设备不是在读阵列模式中，将
一个程序或擦除操作后的情况下，该
阅读模式命令（ FFH ）必须被写入到
崔才读才能进行。
在系统设计时，考虑的应该是
为确保地址和控制输入满足
的<10 NS中定义所需的输入转换率
图12和13 。
3.1
巴士业务
快闪记忆体读取，擦除和在系统写入
通过本地CPU 。所有的总线周期来或从闪速
内存符合标准的微处理器总线
周期。这些总线的操作概括在
表3和表4 。
初步
15
