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DS89C430 / DS89C440 / DS89C450超高速闪存微控制器
注意：
闪速存储器中的读/写可访问性在应用编程并不受
的锁定位的状态。但是，锁定位也影响ROM加载器和并行读/写访问
编程模式。
在应用中编程通过用户软件
在DS89C430支持在应用编程的片上闪存由用户软件。在应用程序
（ ： D5H FCNTL ）寄存器来启用闪存编程是通过写一个flash命令进入闪光控制启动
内存擦除/编程/验证操作。处理，并通过闪数据的数据被输入到MMU
（ FDATA ： D6H ）注册。 flash命令还允许读/写访问的FDATA 。该MMU的音序器
提供了操作的序列和控制功能，该闪速存储器。该MMU的设计工作
独立于处理器，除了读/写访问的SFR 。
片内程序存储器只有上银行可以在应用程序由用户软件编程。该
片内程序存储器的降低银行系统包含硬件相关的代码是至关重要的系统
操作并且不应该在应用编程期间可以改变。
所有Flash操作是自定时的。用户软件可以监视擦除或编程的进展
通过Flash忙碌操作（ FBUSY ; FCNTL.7 ）与逻辑1.选择操作复位值位
当所需的数据被写入到FDATA SFR的自动启动。 MMU的清除FBUSY位表示
一个写入/擦除操作的开始。该FBUSY位可能不会改变状态后可达1ms的操作
要求。在此期间，应用程序应该轮询FBUSY的状态位等待它改变状态。
该位被保持为低，直到操作的任一末端或直到一个错误指示器被返回。闪光灯操作
失败，则终止当前操作，并设置闪光灯错误标志（ FERR ; FCNTL.6 ）为逻辑1无论是繁忙而
错误标志是只读位。
读/在应用编程不受的锁定位的状态时写访问。
对于"瓦特样品编程序列
仪式上程序存储器银行
"如下所示。该命令必须是
被请求的动作的每个时间，即重新进入，这是不容许的，以发出“写上程序存储器
银行“命令一次，然后反复加载地址和数据值进行编程的内存块。
1.确保
FBUSY
位为1 ，以指示闪光的MMU是空闲的。
2.使用定时访问顺序写入值0Bh到FCNTL寄存器。
3.写address_MSB到FDATA寄存器。
4.写address_LSB到FDATA寄存器。
5. data_value写的FDATA寄存器。
6.确保
FBUSY
位为0 ，表示程序已经启动。
7.等待
FBUSY
位，返回到1 ，以指示编程操作结束。
8.确保FERR为0 ，表示没有编程错误。
flash命令（ FC3 - FC0 ; FCNTL.3 ： 0 ）位提供闪存命令，在上市
表4 。
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