FDS6894A
典型特征
50
V
GS
= 4.5V
3.0V
I
D
，漏电流（ A）
40
2.5V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2
1.8
2.0V
V
GS
= 1.8V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
10
20
30
40
50
I
D
， DIRAIN电流（A）
30
1.8V
20
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.5V
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.045
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 8A
V
GS
= 4.5V
1.4
I
D
= 4A
0.04
0.035
0.03
1.2
T
A
= 125 C
0.025
0.02
o
1
0.8
T
A
= 25
o
C
0.015
0.01
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
1
2
3
4
5
T
J
，结温（ C）
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
30
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
T
A
= -55 C
25 C
125
o
C
25
I
D
，漏电流（ A）
20
15
10
5
0
0.5
0.8
1.1
1.4
1.7
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
o
o
V
GS
= 0V
1
o
T
A
= 125 C
0.1
25 C
o
0.01
-55 C
o
0.001
0.0001
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6894A版本C （ W）
