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CY8C27x43最终数据手册
3.电气规格
3.3
3.3.1
DC电气特性
DC芯片级规范
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和-40
°
C
≤
T
A
≤
85
°
C，或3.0V至3.6V -40
°
C
≤
T
A
≤
85
°
C，分别。典型参数适用于5V和3.3V的25
°
C和
仅供设计参考。
表3-4 。 DC芯片级规范
符号
描述
民
典型值
最大
单位
笔记
VDD
I
DD
电源电压
电源电流
3.00
–
–
5
5.25
8
V
mA
条件是VDD = 5.0V ，T
A
= 25
o
C， CPU = 3
兆赫， 48兆赫=禁用。 VC1 = 1.5 MHz时， VC2
= 93.75 kHz时， VC3 = 93.75千赫。
条件是VDD = 3.3V ，T
A
= 25
o
C， CPU = 3
兆赫， 48兆赫=禁用， VC1 = 1.5 MHz时， VC2
= 93.75 kHz时， VC3 = 93.75千赫。
条件与内部低速振荡器
器， VDD = 3.3V ， -40
o
C
≤
T
A
≤
55
o
C.
条件与内部低速振荡器
器， VDD = 3.3V ， 55
o
<牛逼
A
≤
85
o
C.
条件为，在正确加载后， 1
W（最大值） ，
32.768 kHz晶振。 VDD = 3.3V ， -40
o
C
≤
T
A
≤
55
o
C.
条件为，在正确加载后， 1
W（最大值） ，
32.768 kHz晶振。 VDD = 3.3V ， 55
o
<牛逼
A
≤
85
o
I
DD3
电源电流
–
3.3
6.0
mA
I
SB
I
SBH
I
SBXTL
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，睡眠定时器，并
WDT 。
a
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，睡眠定时器，并
WDT在高温下。
a
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和外部晶振。
a
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和外部晶体在高温下。
a
基准电压（带隙）的硅
b
–
–
–
3
4
4
6.5
25
7.5
A
A
A
I
SBXTLH
–
5
26
A
C.
V
REF
V
REF
1.275
1.280
1.300
1.300
1.325
1.320
V
V
修剪合适的VDD。
修剪合适的VDD。
基准电压（带隙）的硅B
b
一。待机电流包括需要可靠的系统运行的所有功能（ POR ， LVD ， WDT ，休眠时间） 。这应该与具有类似功能的装置进行比较
启用。
B 。参阅
订购信息章第42页。
3.3.2
DC通用IO规范
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和-40
°
C
≤
T
A
≤
85
°
C，或3.0V至3.6V -40
°
C
≤
T
A
≤
85
°
C，分别。典型参数适用于5V和3.3V的25
°
C和
仅供设计参考。
表3-5 。直流GPIO规范
符号
描述
民
典型值
最大
单位
笔记
R
PU
R
PD
V
OH
上拉电阻
下拉电阻
高输出电平
4
4
VDD - 1.0
5.6
5.6
–
8
8
–
k
k
V
IOH = 10 mA时， VDD = 4.75 5.25V （总共8个负载，
4在偶数端口引脚（例如，P0 [2]中，P1 [4]） ，
4对奇数端口引脚（例如，P0 [3]中，P1 [5] ））。
IOL = 25 mA时， VDD = 4.75 5.25V （总共8个负载，
4在偶数端口引脚（例如，P0 [2]中，P1 [4]） ，
4对奇数端口引脚（例如，P0 [3]中，P1 [5] ））。
VDD = 3.0 5.25
VDD = 3.0 5.25
格罗斯测试1
A.
取决于封装和引脚。温度= 25
o
C.
取决于封装和引脚。温度= 25
o
C.
V
OL
低输出电平
–
–
0.75
V
V
IL
V
IH
V
H
I
IL
C
IN
C
OUT
输入低电平
输入高电平
输入滞回
输入漏电流（绝对值）
对引脚作为输入容性负载
对引脚作为输出容性负载
–
2.1
–
–
–
–
–
–
60
1
3.5
3.5
0.8
V
V
–
–
10
10
mV
nA
pF
pF
2004年8月3日
文件编号38-12012牧师* I
19
