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赛普拉斯微系统CY8C25122 / CY8C26233 / CY8C26443 / CY8C26643系列数据手册
16.0
文档修订历史记录
文档修订历史记录
表124 ：
文档标题
： CY8C25122 ， CY8C26233 ， CY8C26443 ， CY8C26643器件的数据手册硅版本D
文档编号
: 38-12010
调整
ECN ＃
发行日期
更改原产地
变化的说明
**
116628
6/17/2002
CMS赛普拉斯管理。新
硅片版本。
HMT 。
新文件CY文件CON-
控制（修订版** ） 。修订版3.20
CMS客户。
实施新的错误跟踪
文件释放程序。变化
在红色文件编号： 38-12010 CY
修订版** CMS版本3.20A 。变化
包括：
--Bit的VLT_CR寄存器的6 RW 。
应当从"RW"改为" - "
--Analog输出缓冲控制寄存器
ABF_CR读/写在银行表1
已得到纠正只会写。
--Rewrite节10.4模拟量为参考的
ENCE控制。
--AC字符。规格。表改为.080到
80 "Vdd上升率在电力Up."
在功能页。 2 ，改变"Up 10
位DAC"到"Up 8位DAC."
- 增加温度。规格。 24 MHz的时
开始的AC / DC特性
段和绝对最大值
表。
- 厌氧交流工作规格。固定表
脚注输出上升时间迷你
妈妈。
- 厌氧交流工作规格。固定表
值的外部复位脉冲宽度。
--changed我们对我们的单位在表中。
- 新介绍。
----在模拟参考控制稳压
存器， ARF_CR ，国家对100位2 ： 0
应该说是"All模拟
关。
--Rework标题PGS 。
几个更新，包括热
阻抗表， 8引脚PDIP和图
公司地址。 OSC_CR0注册
名。
*A
127231
5/22/2003
*B
127231
5/22/2003
HMT 。
分配
：外部/公共
发帖
：无
150
文件编号： 38-12010 CY修订版* B CMS版本3.22
2003年8月18日
