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CY54FCT374T , CY74FCT374T
8位寄存器
具有三态输出
SCCS022A - 1994年5月 - 修订2001年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (续)
参数
测试条件
VCC = 5.5 V ,输出开路,
一个比特的开关,在50 %的占空比,OE = GND ,
VIN
≤
0.2 V或VIN
≥
VCC - 0.2 V
VCC = 5.25 V ,输出开路,
一个比特的开关,在50 %的占空比,OE = GND ,
VIN
≤
0.2 V或VIN
≥
VCC - 0.2 V
一号位
开关
在F1 = 5兆赫
在50 %的占空
周期
八位
开关
在F1 = 2.5 MHz的
在50 %的占空
周期
一号位
开关
在F1 = 5兆赫
在50 %的占空
周期
八位
开关
在F1 = 2.5 MHz的
在50 %的占空
周期
VIN
≤
0.2 V或
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VIN = 3.4 V或GND
VIN
≤
0.2 V或
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VIN = 3.4 V或GND
VIN
≤
0.2 V或
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VIN = 3.4 V或GND
VIN
≤
0.2 V或
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VIN = 3.4 V或GND
5
9
10
12
CY54FCT374T
民
TYP
最大
0.06
0.12
毫安/
兆赫
0.06
0.12
CY74FCT374T
民
TYP
最大
单位
ICCD
0.7
1.2
1.6
3.9
1.4
3.4
3.2||
12.2||
mA
0.7
1.2
1.6
3.9
5
9
1.4
3.4
3.2||
12.2||
10
12
pF
pF
VCC = 5.5 V ,
F0 = 10 MHz时,
,
输出打开,
OE = GND
IC
VCC = 5.25 V ,
,
F0 = 10 MHz时,
输出打开,
OE = GND
Ci
Co
典型值是在VCC = 5V , TA = 25 ℃。
此参数推导出总电源计算中使用。
# IC
= ICC +
I
CC
×
DH
×
NT + ICCD ( F0 / 2 + F1
×
N1)
其中:
IC
=总电源电流
ICC =电源电流与CMOS输入电平
I
CC =电源电流为TTL高输入电压(VIN = 3.4 V)
DH
=占空比为TTL输入高电平
NT
=的TTL输入的DH数
造成输入转换对( HLH或LHL ) ICCD =动态电流
f0
=时钟频率为注册设备,否则为零
f1
=输入信号的频率
N1
=输入数在不断变化的F1
所有电流都毫安,所有频率在兆赫。
||值对这些条件的IC卡公式的例子。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5