CXK582000TM/YM/M
-85LL/10LL
262144-word
×
8位高速CMOS静态RAM
描述
该CXK582000TM / YM / M是一款高速CMOS
静态RAM由8位， 262144字。
A
多晶硅
TFT
CELL
技术
实现
非常低的待机电流和更高的数据
保持稳定性。
特殊特征是低功耗和
高速电路板封装阵容。
该CXK582000TM / YM / M是一个合适的RAM，用于
便携设备与备用电池。
特点
快速访问时间
-85LL
-10LL
（访问时间）
85ns （最大）
为100ns （最大值）。
CXK582000M
32引脚SOP （ PIastic ）
CXK582000TM
32引脚TSOP （ PIastic ）
CXK582000YM
32引脚TSOP （ PIastic ）
初步
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
低待机电流
40μA （最大值）。
低数据保持电流
24μA （最大值）。
+ 5V单电源： 4.5V至5.5V 。
低电压保日期： 2.0V （最小值）
广阔的封装阵容
CXK582000TM/YM
8mm
×
20毫米32针
TSOP封装
CXK582000M
525mil 32引脚
SOP封装
框图
A10
A11
A9
A8
A13
A15
A17
A16
A14
A12
A7
卜FF器
ROW
解码器
内存
矩阵
2048
×
1024
V
CC
GND
功能
262144字×8位的静态RAM
结构
硅栅CMOS IC
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
OE
WE
CE1
CE2
卜FF器
I / O门
COLUMN
解码器
卜FF器
I / O缓冲器
I / O1 I / O8
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E94234-ST
