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数据表
MOS集成电路
PD4564441 ， 4564841 ， 4564163
64M位同步DRAM
4银行， LVTTL
描述
该
PD4564441 ， 4564841 ， 4564163顷高速67,108,864位同步动态随机存取
回忆，组织为4,194,304
×
4
×
4, 2,097,152
×
8
×
4, 1,048,576
×16 ×
4 （字
×
位
×
银行）表示。
同步DRAM的实现使用流水线架构的高速数据传输。
所有输入和输出都与时钟的上升沿同步。
该同步DRAM与低电压TTL （ LVTTL ）兼容。
这些产品被包装在54针TSOP （ II ） 。
特点
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
通过A12和A13四核控制内部银行（ Bank选择）
字节控制（ × 16） LDQM和UDQM
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程/ CAS等待时间（ 2和3）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
×4, ×8, ×16
组织
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL兼容的输入和输出
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
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一号文件M12621EJCV0DS00 （第12版）
发布日期2000年1月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1997
