CLL4678

THRU

CLL4717

LOW LEVEL稳压二极管

1.8伏THRU 43伏

500mW的， 5 ％的容差

中央

描述：

TM

半导体公司

中央半导体CLL4678

系列硅低级别的齐纳二极管是一种高

优质的稳压器设计的应用

需要极低的工作电流和

低漏电。

SOD- 80 CASE

绝对最大额定值：

功率耗散（ @ TA = 25℃）

工作和存储温度

符号

PD

TJ ， TSTG

单位

mW

°C

500

-65到+200

电气特性：

（ TA = 25℃ ） ， VF = 1.5V MAX @ IF = 100mA的电流来所有类型。

TYPE

民

齐纳

电压

VZ @ IZT

喃

最大

TEST

当前

IZT

A

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

A

7.5

5.0

4.0

2.0

1.0

0.8

7.5

7.5

5.0

4.0

10

10

10

10

10

10

1.0

1.0

1.0

最大

反向漏

当前

IR @ VR

伏

1.0

1.0

1.0

1.0

1.0

1.0

1.5

2.0

2.0

2.0

3.0

3.0

4.0

5.0

5.1

5.7

6.2

6.6

6.9

最大

电压

CHANGE **

VZ

伏

0.70

0.70

0.75

0.80

0.85

0.90

0.95

0.95

0.97

0.99

0.99

0.97

0.96

0.95

0.90

0.75

0.50

0.10

0.08

最大

齐纳

当前

IZM

mA

120.0

110.0

100.0

95.0

90.0

85.0

80.0

75.0

70.0

65.0

60.0

55.0

50.0

45.0

35.0

31.8

29.0

27.4

26.2

伏VOLTS伏

CLL4678

CLL4679

CLL4680

CLL4681

CLL4682

CLL4683

CLL4684

CLL4685

CLL4686

CLL4687

CLL4688

CLL4689

CLL4690

CLL4691

CLL4692

CLL4693

CLL4694

CLL4695

CLL4696

1.710

1.900

2.090

2.280

2.565

2.850

3.135

3.420

3.705

4.085

4.465

4.845

5.320

5.890

6.460

7.125

7.790

8.265

8.645

1.8

2.0

2.2

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

1.890

2.100

2.310

2.520

2.835

3.150

3.465

3.780

4.095

4.515

4.935

5.355

5.880

6.510

7.140

7.875

8.610

9.135

9.555

**

V

Z = VZ @ 100μA减号VZ @ 10μA

R4 （ 2001年4月）