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TC59LM814/06CFT-50,-55,-60
东芝MOS数字集成电路硅单片
4,194,304-WORDS
×
4银行
×
16位网络FCRAM
TM
8,388,608-WORDS
×
4银行
×
8位网络FCRAM
描述
TM
网络FCRAM
TM
是双倍数据速率快速循环随机存取存储器。 TC59LM814 / 06CFT都网
FCRAM
TM
含268435456存储器单元。 TC59LM814CFT组织为4,194,304字
×
4组S× 16
位， TC59LM806CFT组织为8,388,608字
×
4银行
×
8位。 TC59LM814 / 06CFT设有一间
参考时钟边沿同步操作，从而所有的操作都在一个时钟输入同步哪些
实现高性能和简单的用户界面共存。 TC59LM814 / 06CFT可以操作的快速核心周期
使用FCRAM
TM
核心架构与普通DDR SDRAM相比。
TC59LM814 / 06CFT适用于网络，服务器和其他应用大内存密度和低
功耗是必需的。输出驱动器，用于网络FCRAM
TM
能够高质量快速数据
在轻负载条件转移。
特点
参数
CL
=
3
CL
=
4
t
RC
随机读/写周期时间（分钟）
t
RAC
随机访问时间（最大）
I
DD1S
工作电流（单一银行） （最大值）
l
DD2P
掉电电流（最大值）
l
DD6
自刷新电流（最大值）
t
CK
时钟周期时间（min）
-50
5.5纳秒
5纳秒
25纳秒
22纳秒
190毫安
2毫安
3毫安
TC59LM814/06
-55
6纳秒
5.5纳秒
27.5纳秒
24纳秒
180毫安
2毫安
3毫安
-60
6.5纳秒
6纳秒
30纳秒
26纳秒
170毫安
2毫安
3毫安
完全同步操作
双倍数据速率（ DDR ）
数据输入/输出与DQS的两个边缘同步。
差分时钟（ CLK和CLK ）输入
CS ， FN和所有地址输入信号进行采样，在CLK的上升沿。
输出数据（DQS和DQS ）被对齐到CLK和CLK的交叉点。
的5纳秒的最低速时钟周期时间
时钟： 200 MHz的最高
数据： 400 Mbps的/针最大
四路独立的银行操作
快速周期和短延迟
双向数据选通信号
分布式自动刷新周期7.8
s
自刷新
掉电模式
变量写入长度控制
写入延迟
=
CAS延迟1
可编程CAS延迟和突发长度
CAS延迟
=
3, 4
突发长度
=
2, 4
组织
TC59LM814CFT ： 4,194,304字
×
4银行
×
16位
TC59LM806CFT ： 8388608字
×
4银行
×
8位
电源电压V
DD
:
2.5 V
±
0.15 V
V
DDQ
: 2.5 V
±
0.15 V
2.5 V CMOS I / O符合SSTL - 2 （半强度的驱动程序）
包装：
400
×
875万， 66引脚TSOPII ，0.65毫米针距（ TSOPII66 -P - 400-0.65 ）
注意： FCRAM是富士通公司，日本的注册商标。
2002-08-19
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