GP2L09/GP2L24/GP2L26
图11相对集电极电流与
卡的移动距离（ 1 ）
100
I
F
= 4毫安
V
CE
= 2V
相对于集电极电流（％）
相对于集电极电流（％）
80
D = 1毫米
T
a
= 25C
80
图12相对集电极电流与
卡的移动距离（ 2 ）
100
I
F
= 4毫安
V
CE
= 2V
D = 1毫米
T
a
= 25C
60
60
40
40
20
20
0
- 1
1
3
5
0
2
4
卡的移动距离为L（毫米）
6
7
0
- 2 - 1
0
1
2
3
4
卡的移动距离为L（毫米）
5
6
对于远程&检测试验条件
位置特点
（ EX ：
GP2L24
)
对应于图10
铝蒸发
GP2L24
对应于图11
测试条件
I
F
=
4mA
V
CE
=
2V
d
=
1mm
OMS卡
白
d
黑
LMM
d
图13频率响应（ GP2L09 ）
V
CE
= 2V
I
C
= 10毫安
T
a
= 25C
对应于图12
电压增益AV（分贝）
测试条件
I
F
=
4mA
V
CE
=
2V
d
=
1mm
0
-5
OMS卡
白
d
黑
LMM
- 10
R
L
= 1k 100
10
- 15
+
L= 0
-
+
L
=
0
-
- 20
10
2
2
5
10
3
2
10
4
2
频率f（赫兹）
5
5
10
5
2
图14频率响应（ GP2L24 / GP2L26 ）
5
I
F
= 10毫安
V
CE
= 2V
T
a
= 25C
图15光谱灵敏度（检测端）
100
T
a
= 25C
80
相对灵敏度（％）
0
电压增益AV（分贝）
-5
R
L
= 1k
- 10
100
60
10
40
- 15
20
- 20
10
2
10
3
10
4
10
5
频率f（ kHz）的
10
6
0
600
700
800
900
1000
波长
λ
（纳米）
1100
1200
