GS71024T/U
写周期1 ：我们控制
t
WC
地址
t
AW
OE
t
CW
CE1
(*1)
V / S
t
AS
WE
DATA IN
t
WHZ
数据输出
高阻抗
t
WR
t
VS
t
VW
t
WP
(*2)
t
DW
数据有效
t
DH
t
WLZ
(*3)
(*3)
* 1 CE1既是CE1低， CE2高。
* 2写入时，将执行两个CE1 ，我们是在低同时进行。
* 3的数据输入电压请勿在输出时DQ引脚处于输出状态。
写周期2 ： CE控制
t
WC
地址
t
AW
OE
t
AS
CE1
(*1)
t
VW
V / S
WE
DATA IN
数据输出
t
WP
t
DW
数据有效
t
WR1
t
CW
t
DH
高阻抗
* 1 CE1既是CE1低， CE2高。
冯： 1.05 11/2004
9/13
1999 ， GSI技术
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