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智能3高级启动块
当V
PP
＆ LT ; V
PPLK
时，设备将仅执行
成功下列命令：读阵列，
读状态寄存器，清除状态寄存器和
阅读标识符。该器件提供标准
EEPROM读取，待机和输出禁止
操作。制造商标识及设备
标识数据可通过访问
崔。与改变存储相关的所有功能
内容，即编程和擦除，是
访问通过CUI 。内部写状态
机（ WSM ）完全自动化的程序
和擦除操作，而崔信号的开始
的操作和状态寄存器报告
状态。崔处理WE＃接口
数据和地址锁存器，以及系统状态
WSM操作过程中的要求。
3.1
总线操作
E
DQ
0–7
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
DQ
8–15
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
智能3高级启动区块快闪记忆体
设备读取，编程和通过擦除系统
本地CPU或微控制器。所有的总线周期或
从闪速存储器符合标准
微控制器的总线周期。四个控制引脚决定
的数据流入和流出的闪光灯组件的：
CE ＃ ， OE ＃ ， WE＃和RP ＃ 。这些公交车运营
总结于表3中。
表3.公交车运营
(1)
模式
阅读（阵列，状态，或
标识符）
输出禁用
待机
RESET
写
记
2–4
2
2
2, 7
2, 5–7
RP ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
CE＃
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
WE＃
V
IH
V
IH
X
X
V
IL
注意事项：
1. 8位器件只用DQ [ 0 ： 7 ] ， 16位器件使用DQ [ 0:15 ]
2. X必须是V
IL
, V
IH
为控制引脚和地址。
3.请参阅
DC特性
对于V
PPLK
, V
PP1
, V
PP2
, V
PP3
, V
PP4
电压。
4.制造商和设备代码也可以读取识别模式下访问（A -A
21
= 0）。见表4 。
1
5.请参考表6有效D
IN
在写操作。
6.编程或擦除区块可锁定，按住WP ＃在V
IH
.
7. RP ＃必须在GND
±
0.2 V ，以满足规定的最大深度掉电电流。
12
初步
