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28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3
表3中。
巴士业务
(1)
模式
记
2–4
2
2
2, 7
2, 5–7
RP ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
CE＃
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
WE＃
V
IH
V
IH
X
X
V
IL
DQ
0–7
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
DQ
8–15
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
阅读（阵列，状态，或标识符）
输出禁用
待机
RESET
写
注意事项：
1. 8位器件只用DQ [ 0 ： 7 ] ， 16位器件使用DQ [ 0:15 ] 。
2. X必须是V
IL
, V
IH
为控制引脚和地址。
3.请参阅
DC特性
对于V
PPLK
, V
PP1
, V
PP2
, V
PP3
, V
PP4
电压。
4.制造商和设备代码也可以读取识别模式下访问（A
1
–A
21
= 0）。看
表5 。
5.参考
表6
为有效D
IN
在写操作。
6.编程或擦除区块可锁定，按住WP ＃在V
IH
.
7. RP ＃必须在GND
±
0.2 V ，以满足规定的最大深度掉电电流。
3.1.1
读
闪存存储器有四个可用的读取模式：读阵列，读取识别，读取状态和读
查询。这些模式是在V的独立访问
PP
电压。适当的阅读模式
命令必须颁发给崔进入相应的模式。在最初的设备加电
或从复位退出后，设备会自动默认为读阵列模式。
CE ＃和OE ＃必须驱动为主动，以获得在输出数据。 CE＃为设备选择
控制;活性时，它可以使闪存设备。 OE＃为数据输出控制和它
驱动器所选择的存储的数据到I / O总线。对于所有的阅读方式， WE＃和RP ＃必须在
V
IH
.
图7
示出了一个读周期。
3.1.2
输出禁用
用OE ＃为逻辑高电平（V
IH
） ，该装置的输出被禁止。输出引脚被放置在一个
高阻抗状态。
3.1.3
待机
通过将CE＃为逻辑高电平取消选择器件（V
IH
）将器件置于备用
模式，这大大降低了设备的功率消耗而没有任何延迟后续
读访问。在待机模式下，输出被置于高阻抗状态，独立的OE＃ 。如果
在程序取消或擦除操作时，设备会继续消耗有功功率，直到
编程或擦除操作完成。
3.1.4
深度掉电/复位
从读模式，在V RP ＃
IL
为时间t
PLPH
取消选择内存，并将输出驱动器在高
阻抗状态，并关闭所有的内部电路。从回归复位，时间t后
PHQV
是必须的
直到最初的读访问输出是有效的。延迟（T
PHWL
或T
PHEL
）从回归后需要
重新写才能开始。此唤醒间隔后，恢复正常工作。该
崔复位到读阵列模式，和状态寄存器被置为80H。这种情况示于
图9a。
8
3UHOLPLQDU\
