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智能3高级启动块
附录B
访问时间 - 容性负载
(t
AVQV
对丙
L
)
E
访问时间与负载电容
99
95
访问时间（纳秒）
91
VCCQ = 2.7V
87
83
79
75
30
40
50
60
70
80
90
100
负载电容（PF ）
VCCQ = 3.0V
该图表显示了设备的存取时间相对于容性负载降额曲线。在价值
DC特性
本说明书中的区段对应至C
L
= 50 pF的。
注意：
取样，但不是100 ％测试
38
初步
