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智能3高级启动块
3.2.3
读状态寄存器
3.2.4
编程模式
E
该器件状态寄存器指示当
编程或擦除操作完成，
成功或操作的失败。要阅读
状态寄存器发出读状态寄存器
（ 70H ）命令崔。这将导致所有
后续的读取操作，从输出数据
状态寄存器，直到另一个命令被写入
崔。从数组，问题回到阅读
读阵列（ FFH ）命令。
状态寄存器的位是在DQ输出
0
-DQ
7
.
高位字节， DQ
8
-DQ
15
，在一个输出00H
读状态寄存器命令。
状态寄存器的内容被锁存
的OE ＃或CE ＃下降沿。这可以防止
如果状态可能会发生的可能的总线错误
寄存器的内容边读边修改。 CE ＃或
OE ＃必须与每个后续状态进行切换
阅读或状态寄存器将不会显示
编程或擦除操作完成。
当WSM是活动的， SR.7将指示
在WSM的状态;在状态的剩余位
寄存器指示WSM是否被
成功地执行所需的操作（见
表7）。
3.2.3.1
清除状态寄存器
编程通过2执行
-
写
序列。程序设置命令（ 40H ）是
写入到崔后跟一个第二写入其中
指定的地址和数据进行编程。
该WSM将执行内部序列
定时事件编程的所需位
解决的位置，然后验证位
充分编程。编程内存
内的地址位置的结果中的特定位
被改变为“0”。如果用户试图
程序的“1” ，存储单元的内容不
改变并不会发生错误。
状态寄存器指示编程状态：
程序顺序执行时，状态位7
是“0”状态寄存器可通过切换轮询
CE＃或OE ＃ 。在编程时，只
有效的命令是读状态寄存器，
程序挂起，并计划继续。
当编程完成后，程序
状态位应该进行检查。如果编程
手术很成功，状态位SR.4
寄存器被设置为指示一个程序失败。如果SR.3
被设置，那么V
PP
是不能接受的限度之内，并且
在WSM没有执行程序的命令。如果
SR.1设置，程序操作试图在
锁定块和操作被中止。
状态寄存器前应清除
在尝试下一次操作。任何崔指令
可以按照程序完成后，
然而，为了防止意外的状态寄存器
读，一定要复位崔读阵列模式。
3.2.4.1
暂停和恢复
节目
WSM的设置状态位1到7为“ 1 ”，并
清除位2,6和7为“0 ”，但不能清除状态
比特1或3至5为“0 ”因为比特1 ，3，4和
5表示各种错误情况，这些位
只有通过清除状态寄存器清零
（ 50H ）命令。通过允许系统软件
来控制这些位的复位，几
操作可被执行（例如，累积
编程的几个地址或删除多个
读状态前按顺序块）
登记，以确定是否在发生错误
系列。清除状态寄存器开始之前
另一个命令或序列。请注意，再次，这
之前，必须发出读阵列命令
数据可以从存储器阵列读出。
该项目暂停将暂停正在进行
程序操作，以读取从另一数据
的存储器位置。一旦编程过程
开始，在写程序挂起命令
崔请求的WSM暂停
程序序列（在预定点中的
程序算法）。该器件继续输出
状态寄存器的数据后，程序暂停
命令被写入。查询状态寄存器的位
SR.7和SR.2将决定程序时
操作已被中止（两者都将被置为
“1”). t
WHRH1
/t
EHRH1
指定程序暂停
潜伏期。
16
初步
