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HC5526
给出了R的关系
SG
电阻值,
可编程饱和后卫参考电压:
5
10
V
SGREF
=
12.5
+ ------------------
R
SG
5
其中:
I
L
=在待机状态回路电流,
R
L
=循环阻力,
V
BAT
=电池电压。
(当量3)
其中:
V
SGREF
=饱和员参考电压,并
R
SG
=饱和度卫队编程电阻。
当饱和后卫参考电压超标,
尖端环电压使用公式4计算:
16.66
+
5
10
R
SG
V
TR
=
R
L
×
----------------------------------------------------------------------
R
L
+
(
R
DC1
+
R
DC2
)
600
5
(AC)的传输路径
SLIC在主动模式
图16显示了一个简化的交流输电模型。电路
分析得出了以下的设计公式:
V
TR
=
V
TX
+
I
M
2R
F
(公式4),
V
TX
V
RX
I
M
-
---------- + ----------- = ------------
-
Z
T
Z
RX
1000
V
TR
=
E
G
I
M
Z
L
(当量10)的
(当量9)
其中:
V
TR
=电压尖和塞环之间,并且差动
R
L
=回路电阻。
对于挂机传输
L
=
∞,
式(4)简化为:
5
10
V
TR
=
16.66
+ ------------------
R
SG
5
(当量11)的
其中:
V
TR
=是尖和塞环间的交流电压的金属,
包括跨越熔丝电阻器R上的电压降
F
,
V
TX
=是交流金属电压。无论是在地面
引用的四线侧或SLIC的塞尖和塞环端子,
I
M
=是AC电流的金属,
R
F
=是一个导火索resisto ,
Z
T
=用来设置在SLIC的二线阻抗,
V
RX
=是模拟地为参考的接收信号,
Z
RX
=用来设置4线到2线增益
E
G
=是对交流开路电压,并
Z
L
=是线路阻抗。
(当量5)
R的值
SG
应计算允许最大
环路长度的操作。这要求该饱和后卫
基准电压被设置得尽可能高,而不削波
传入或传出VF信号。 -4V的电压裕量
在塞尖和-4V上环,共为-8V余量,是
建议将其作为一般指引。 R的值
SG
is
用公式6计算:
5
10
R
SG
= -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
-
(
R
DC1
+
R
DC2
)
(
V
BAT
V
余量
) ×
1
+ ------------------------------------------
16.66V
-
600R
L
(当量6)
5
( AC ) 2线阻抗
交流2线阻抗(Z
TR
)是阻抗找
入的SLIC ,包括熔断电阻器,并且计算出
如下:
设V
RX
= 0。然后从公式10 :
I
M
-
V
TX
=
Z
T
------------
1000
(当量12)的
其中:
V
BAT
=电池电压,并
V
余量
= -8V的推荐值允许的最大
3.1V的过载水平
PEAK
.
对于挂机传输
L
=
∞,
式(6)可简化为:
5
10
R
SG
= ----------------------------------------------------------------------------
V
BAT
V
余量
16.66V
5
(公式7)
Z
TR
是德网络定义为:
V
TR
Z
TR
= ----------
-
I
M
(当量13)的
SLIC在待机模式
整个系统的功率节省CON连接guring的SLIC的
待机状态时不使用。在待机状态下,前端
环放大器器被禁用,并且内部电阻
连接头之间接地,环到V
BAT
。这
连接使回路电流溢流的时候,手机
摘机。环路电流检测器则检测该
电流和在SLIC是CON组fi gured中的活动模式
语音传输。在待机状态下,环路电流为
计算公式如下:
V
BAT
3V
-
I
L
-------------------------------
R
L
+
1800
(当量8)
代入公式9 V
TR
:
V
TX
2R
F
I
M
-
-
Z
TR
= ---------- + ----------------------
I
M
I
M
(当量14)的
代入公式12 V
TX
:
Z
T
-
Z
TR
= ------------ +
2R
F
1000
(当量15)
65

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