EO

描述

特点

HM5117805系列

16M的EDO DRAM （2- Mword

×

8-bit)

2 k刷新

E0156H10 （版本1.0 ）

（上ADE - 203-630D （ Z） ）

2001年6月27日

该HM5117805是一个C MOS动态 AM奥尔加nize D 2 ， 097152 -W ORD

×

8位。它采用了最

ADVA NCE维C MOS TEC hnology高每备考NCE和低鲍威河该HM5117805断器延长器达TA

输出（ ED O） P年龄模式为高段速度AC CE SS模式。每MITS的HM5117805到Multiplexe 地址输入ESS

被封装在标准的28引脚塑料SOJ和28引脚TSOP 。

采用5 V （ ± 10 ％ ）

访问时间： 50纳秒/ 60纳秒/ 70纳秒（最大）

功耗

主动模式： 605毫瓦/ 550毫瓦/ 495毫瓦（最大）

待机模式： 11毫瓦（最大）

： 0.83毫瓦（最大） （L-版本）

EDO页面模式功能

龙刷新周期

2048刷新周期： 32毫秒

： 128毫秒（L-版本）

刷新4变化

RAS-只

刷新

CAS先于RAS

刷新

隐藏刷新

自刷新（L-版本）

电池备份操作（ L-版）

尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司

LP

ro

du

ct