飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2525DF
晶体管
IC
二极管
I
CSAT
+ 150V，额定
调整ICsat
t
Lc
IB
IBend
t
10us
13us
D.U.T.
IBend
LB
CFB
RBE
32us
VCE
-VBB
t
图1 。开关时间波形。
图4 。开关时间测试电路。
ICsat
90 %
IC
100
的hFE
BU2525DF
TJ = 25℃
TJ = 125℃
5V
10 %
tf
ts
IB
IBend
t
10
1V
t
1
0.1
1
10
IC / A
100
- IBM
图2 。开关时间的定义。
图5 。典型的直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
参数V
CE
I
F
I
F
1.2
1.1
1
VBESAT / V
TJ = 25℃
TJ = 125℃
BU2525AF
10%
吨FR
V
F
时间
0.9
0.8
0.7
0.6
IC / IB =
3
4
5
0.1
1
IC / A
10
5V
V
F
时间
V
fr
0.5
0.4
如图3所示。的反并联二极管V定义
fr
和T
fr
图6 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
1997年9月
3
启1.200
