SN54ABT533 ， SN74ABT533
八路透明D类锁存器
具有三态输出
SCBS186A - 1991年2月 - 修订1994年7月
国家的最先进的
EPIC-
ΙΙ
B
BiCMOS工艺设计
显著降低了功耗
闭锁性能超过500 mA。
根据JEDEC标准JESD -17
典型的V
OLP
（输出地弹跳）
< 1 V在V
CC
= 5 V ，T
A
= 25°C
高驱动输出（ - 32 mA的我
OH
,
64 mA的我
OL
)
封装选择包括塑料
小外形（ DW ）和收缩
小外形（ DB ）封装，陶瓷
芯片载体（FK ） ，以及塑料（N）和
陶瓷（J ）下降
SN54ABT533 。 。 。 包装
SN74ABT533 。 。 。 DB ， DW或N包装
（ TOP VIEW ）
OE
1Q
1D
2D
2Q
3Q
3D
4D
4Q
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
8Q
8D
7D
7Q
6Q
6D
5D
5Q
LE
描述
该
′ABT533
有8位透明D型锁存器
具有三态输出，专为设计
驱动高容性或相对低
阻抗的负载。它们特别适合
实施缓冲寄存器， I / O端口，
双向总线驱动器和工作寄存器。
当锁存使能（ LE）的输入为高时，
Q输出按照数据的补
（ D）的投入。当LE为低电平时， Q输出
被锁定在水平的倒数设在
D输入。该
′ABT533
在提供数据的反转
它的输出。
SN54ABT533 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
1D
1Q
OE
V
CC
2D
2Q
3Q
3D
4D
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
8Q
8D
7D
7Q
6Q
6D
具有缓冲的输出使能（OE）输入可用于放置在任何一个正常的逻辑状态的八个输出（高
或低逻辑电平），或一个高阻抗状态。在高阻抗状态下，输出没有负载也没有驱动
公交线路显著。高阻抗状态，增加驱动器提供驱动总线的能力
行，而不需要对接口或拉组件。
OE不影响锁存器的内部操作。先前存储的数据可以被保留或新数据
可输入而输出处于高阻抗状态。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
该SN74ABT533可在TI的紧缩小外形封装（ DB） ，它提供了相同的I / O引脚数
并在不到一半的印刷电路板面积的标准小外形封装功能。
该SN54ABT533的特点是操作上的整个军用温度范围 - 55 ° C至125°C 。该
SN74ABT533的特点是操作从 - 40 ° C至85°C 。
EPIC - ΙΙB是德州仪器的商标。
除非另有说明这个文件包含了生产
数据信息为出版日期。产品符合
每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有的测试
参数。
邮政信箱655303
版权
1994年，德州仪器
达拉斯，德克萨斯州75265
4Q
GND
LE
5Q
5D
2–1
