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特定网络阳离子HS- 82C54RH
表4. POST 100K RAD电性能等特点
注：请参阅+25
o
在表1和表2 C限制后的RAD限（子组1,7和9）。
表5. BURN -IN DELTA参数（ +25
o
C)
参数
待机电源电流
输出漏电流
输入漏电流
输出低电流
TTL输出高电流
CMOS输出高电流
*这是以往任何时候都更大。
符号
IDDSB
IOZL ， IOZH
IIH ， IIL
IOL
IOH TTL
IOH CMOS
台达极限
±2A
±2A
±200nA
±500A
BBI读或10 ％ *
±500A
BBI读或10 ％ *
±20A
BBI读或10 ％ *
表6.适用子群
A组子群
一致性
组
初步测试
临时测试
PDA
最终测试
A组（注1 ）
小组B5
小组B6
C组
D组
E组，小组2
注意事项：
符合MIL -STD- 883方法5005 1.交替A组的测试，可以行使。
只有2表5参数
MIL-STD-883
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
检测过-Q
1, 7, 9
1, 7, 9,
1, 7,
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，
1, 7, 9
不适用
1, 7, 9
1, 7, 9
记录
FOR -Q
1 （注2 ）
1,
（注2 ）
-
-
-
1, 2, 3,
（注2 ）
-
不适用
-
-
检测过-8
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B ，9，
10, 11
不适用
不适用
1，2， 3，7，图8A ，8B ，9，
10, 11
1, 7, 9
1, 7, 9
记录
FOR -8
规格编号
952
518059
