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存储器IC
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
1024× 8位的电可擦除PROM
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W /
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
该BR24L08 -W系列是2线（I
2
C总线型）串行EEPROM这是电可编程。
I 2 C总线是飞利浦公司的注册商标。
2
应用
通用
特点
1 ） 1024寄存器
×
8位串行架构。
2 ）单电源（ 1.8V至5.5V ） 。
3 ）两线串行接口。
4 ）自定时写周期自动擦除。
5 ） 16byte的页写模式。
6 ）低功耗。
写（ 5V ） ： 1.5毫安（典型值）。
阅读（ 5V ） ： 0.2毫安（典型值）。
待机（ 5V ） （典型值）， 0.1μA
7 ）数据安全
写保护功能（ WP引脚） 。
禁止把它们写在低V
CC
.
8 ）小包装 - - - DIP8 / SOP8 / SOP- J8 / SSOP - B8 / MSOP - 8
9 ）高可靠性的EEPROM采用双单元结构。
10 ）高可靠性精细图案的CMOS技术。
11 ）耐久性：100万次擦/写
12 ）数据保存：40岁
13 ）在SCL输入过滤
SDA的噪声抑制。
在所有地址14 ）初步数据FFH 。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
符号
V
CC
范围
0.3
to
+6.5
800(DIP8)
450(SOP8)
功耗
Pd
450(SOP-J8)
300(SSOP-B8)
310(MSOP8)
储存温度
工作温度
端电压
1
2
3
4
单位
V
1
2
2
3
4
mW
TSTG
TOPR
65
to
+125
40
to
+85
0.3
到V
CC
+0.3
°C
°C
V
超过25 ℃，每升高1 ℃，钽降低8.0mW 。
超过25 ℃，每升高1 ℃，钽减少4.5MW 。
超过25 ℃，每升高1 ℃，钽减少3.0MW 。
超过25 ℃，每升高1 ℃，钽降低3.1mW 。
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