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HUF75339G3 , HUF75339P3 , HUF75339S3S
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
55
55
±20
75
图4
图6,图14 , 15
200
1.35
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20kΩ时)(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
漏电流
连续的(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
OFF状态规格
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
测试条件
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V (图11)
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
DS
= 45V, V
GS
= 0V ,T
C
= 150
o
C
55
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
热规格
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
V
GS
=
±20V
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA (图10)
I
D
= 75A ,V
GS
= 10V (图9)
2
-
-
0.010
4
0.012
V
R
θJC
R
θJA
(图3)
TO-247
的TO-220 ,TO- 263
-
-
-
-
-
-
0.74
30
62
o
C / W
o
C / W
o
C / W
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 10V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷,在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
反向传输电容
Q
G( TOT )
Q
g(10)
Q
G( TH )
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 30V,
I
D
75A,
R
L
= 0.4
I
G( REF )
= 1.0毫安
(图13)
-
-
-
-
-
110
60
3.7
9
23
130
75
4.5
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
t
ON
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
V
DD
= 30V ,我
D
75A,
R
L
= 0.4, V
GS
=
10V,
R
GS
= 5.1
-
-
-
-
-
-
-
15
60
20
25
-
110
-
-
-
-
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
122

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