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HY62WT08081E
系列
32Kx8bit CMOS SRAM
文档标题
32K ×8位2.7 5.5V低功耗SRAM慢
修订历史
版本号
00
01
历史
初始
修订
-
变化LL-部分ISB1限@ E.T / I.T ， 4.5 5.5V
： 15uA = >的20uA
修订
-
标识信息变更： SOP类型
-
VOH限值变化： 2.4V = > @ 2.2V 2.7 3.6V
改变的标志
- 韩国现代海力士->
- 标识信息变更
修订
-
Iccdr限制添加：为2uA @ 40℃
草案日期
Feb.05.2001
Feb.13.2001
备注
初步
最终科幻
02
Feb.21.2001
最终科幻
03
Apr.30.2001
最终科幻
04
May.23.2001
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
转/五月04 。 2001年
海力士半导体
