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200针的小型双列直插式内存模块
SO -DIMM
HYS64D64020HBDL–5–C
HYS64D64020GBDL–5–C
HYS64D64020HBDL–6–C
HYS64D64020GBDL–6–C
1
1.1
概观
特点
非奇偶校验200针小型双列直插式内存模块
两行列64M
×64
组织
JEDEC标准的双数据速率同步DRAM （ DDR SDRAM ）
单+ 2.5V （ ± 0.2 V）电源和单+ 2.6V （ ± 0.1 V）电源供电DDR400
建成组织为256兆位的DDR SDRAM
×8
在P- TFBGA - 60封装
可编程CAS延迟，突发长度和换行序列（序列&交错）
自动刷新（ CBR）和自刷新
所有输入和输出SSTL_2兼容
串行存在检测为E
2
舞会
JEDEC标准外形尺寸： 67.60毫米
×
31.75 mm
×
3.80 mm
镀金触点
性能
–5
部件
模块
@CL3
@CL2.5
@CL2
DDR400B
PC3200–3033
–6
DDR333B
PC2700–2533
166
166
133
单位
—
—
兆赫
兆赫
兆赫
表1
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
f
CK3
f
CK2.5
f
CK2
200
166
133
1.2
描述
该HYS64D64020HBDL - 5 - C和HYS64D64020GBDL - 5 - C是行业标准的200引脚小外形
双列直插式内存模块（ SO- DIMM）的组织为64M
×64.
存储器阵列的设计与双
数据速率同步DRAM （ DDR SDRAM ） 。各种去耦电容的安装在PC板上。
该功能的DIMM串行存在检测基于串行é
2
使用2针我PROM设备
2
C协议。第一
128字节被编程的配置数据和第二128字节是提供给客户。
笔记
1.所有部件号结束与一个地方的代码指定的硅芯片版本。可参考信息
请求。例如： HYS64D32020GDL -6 -B中，表示转速。乙模具被用于SDRAM的组件。
2.符合代码打印在描述速度的排序（例如，“ PC2700 ” ）的模块的标签，该
延迟和SPD代码定义（例如“ 2033-0 ”指的2.0个时钟， RCD CAS等待时间
1)
潜伏期
3个时钟，排3个时钟预充电延迟，以及JEDEC SPD代码definiton版本0 ） ，和原卡
用于该模块。
1 ） RCD ：行，列延时
数据表
6
修订版1.1 ， 2004-05
