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HYS[64/72]D[16x01/32x00/64x20][G/E]U-[5/6/7/8]-B
无缓冲DDR SDRAM模块
概观
表2
TYPE
PC3200 （CL = 3）的
HYS64D16301GU-5-B
HYS64D32300GU-5-B
HYS72D32300GU-5-B
HYS64D64320GU-5-B
HYS72D64320GU-5-B
PC2700 （CL = 2.5）
HYS64D16301GU-6-B
HYS64D32300GU-6-B
HYS72D32300GU-6-B
HYS64D64320GU-6-B
HYS72D64320GU-6-B
PC2100 （CL = 2）的
HYS64D16301GU-7-B
HYS64D32000GU-7-B
HYS72D32000GU-7F-B
HYS72D32000GU-7-B
HYS64D64020GU-7-B
HYS72D64020GU-7F-B
HYS72D64020GU-7-B
PC1600 （CL = 2）的
HYS64D16301GU-8-B
HYS64D32000GU-8-B
HYS72D32000GU-8-B
HYS64D64020GU-8-B
HYS72D64020GU-8-B
表3
TYPE
PC2100 （CL = 2）的
HYS64D32300EU-7-B
PC2100U-20330-A1
一个等级256MB DIMM
256兆位（ × 8 ）
PC1600U-20330-C2
PC1600U-20220-A1
PC1600U-20220-A1
PC1600U-20220-B1
PC1600U-20220-B1
一个等级128MB DIMM
一个等级256MB DIMM
一个等级256MB ECC -DIMM
两列512MB DIMM
256兆位（ × 16 ）
256兆位（ × 8 ）
256兆位（ × 8 ）
256兆位（ × 8 ）
PC2100U-20330-C2
PC2100U-20330-A1
PC2100U-20220-A1
PC2100U-20330-A1
PC2100U-20330-B1
PC2100U-20220-B1
PC2100U-20330-B1
一个等级128MB DIMM
一个等级256MB DIMM
一个等级256MB ECC -DIMM
一个等级256MB ECC -DIMM
两列512MB DIMM
256兆位（ × 16 ）
256兆位（ × 8 ）
256兆位（ × 8 ）
256兆位（ × 8 ）
256兆位（ × 8 ）
PC2700U-25330-C0
PC2700U-25330-A0
PC2700U-25330-A0
PC2700U-25330-B0
PC2700U-25330-B0
一个等级128MB DIMM
一个等级256MB DIMM
一个等级256MB ECC -DIMM
两列512MB DIMM
256兆位（ × 16 ）
256兆位（ × 8 ）
256兆位（ × 8 ）
256兆位（ × 8 ）
PC3200U-30330-C0
PC3200U-30330-A0
PC3200U-30330-A0
PC3200U-30330-B0
PC3200U-30330-B0
一个等级128MB DIMM
一个等级256MB DIMM
一个等级256MB ECC -DIMM
两列512MB DIMM
256兆位（ × 16 ）
256兆位（ × 8 ）
256兆位（ × 8 ）
256兆位（ × 8 ）
订购信息
合规守则
描述
SDRAM技术
两个职512MB ECC -DIMM 256兆位（ × 8 ）
两个职512MB ECC -DIMM 256兆位（ × 8 ）
两个职512MB ECC -DIMM 256兆位（ × 8 ）
两个职512MB ECC -DIMM 256兆位（ × 8 ）
两个职512MB ECC -DIMM 256兆位（ × 8 ）
铅和Halogene - DIMM免费
合规守则
描述
SDRAM技术
注：所有部件号结束与一个地方的代码指定的硅芯片版本。提供参考信息
根据要求提供。例如： HYS72D32000GU -6 -B中，表示转速。乙模具被用于SDRAM的组件。该
遵守代码打印在描述速度排序模块的标签（例如“ PC2700 ” ），则
延迟和SPD代码定义（例如“ 20330 ”，是指在2.0个时钟， RCD CAS等待时间
1)
潜伏期
3个时钟，排3个时钟预充电延迟，以及JEDEC SPD代码definiton版本0 ） ，和原卡
用于该模块。
1 ） RCD ：行，列延时
数据表
7
V1.1, 2003-07
