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HYS64D64020GBDL–[5/6/7/8]–B
小外形封装DDR SDRAM模块
概观
表2
TYPE
PC3200 （CL = 3）的
HYS64D64020GBDL - 5 -B PC3200S - 3033-0 -Z
PC2700 （ CL = 2,5）
HYS64D64020GBDL - 6 -B PC2700S - 2533-0 -Z
PC2100 （CL = 2）的
HYS64D64020GBDL - 7 -B PC2100S - 2033-0 -Z
PC1600 （CL = 2）的
HYS64D64020GBDL - 8 -B PC1600S - 2022-0 -Z
笔记
1.所有部件号结束与一个地方的代码指定的硅芯片版本。可参考信息
请求。例如： HYS64D32020GDL -6 -B中，表示转速。乙模具被用于SDRAM的组件。
2.符合代码打印在描述速度的排序（例如，“ PC2700 ” ）的模块的标签，该
延迟和SPD代码定义（例如“ 2033-0 ”指的2.0个时钟， RCD CAS等待时间
1)
潜伏期
3个时钟，排3个时钟预充电延迟，以及JEDEC SPD代码definiton版本0 ） ，和原卡
用于该模块。
两个职级512 MB SO- DIMM 256兆位（ × 8 ）
两个职级512 MB SO- DIMM 256兆位（ × 8 ）
两个职级512 MB SO- DIMM 256兆位（ × 8 ）
两个职级512 MB SO- DIMM 256兆位（ × 8 ）
订购信息
合规守则
描述
SDRAM技术
1 ） RCD ：行，列延时
数据表
7
V1.0, 2003-08
