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IC41C44002A/IC41C44002AS(L)
IC41LV44002A/IC41LV44002AS(L)
功能说明
该IC41C44002A和IC41LV44002A是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率
应用程序。在读或写周期，每个位
通过11位地址唯一解决。这些都是
进入11位（ A0 - A10）的时间为2K刷新设备
。的行地址由行地址选通锁存
性（RAS） 。列地址由列锁存
地址选通（ CAS） 。
RAS
用于锁存所述第一11位
和
CAS
用于锁存后11位。
刷新周期
保留数据， 2048刷新周期需要在每
32毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器：
1.计时每2048行地址（ A0
通过A10 ）与
RAS
至少每32毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或
RAS-只
循环再
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期时，内部11位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
自刷新周期
(1)
在自刷新允许用户动态刷新，数据
保留模式在64毫秒延长更新周期。我。
即，每行32微秒使用分布式CBR刷新的时候。
该功能还允许用户的一个充分的选择静态
低功耗数据保持方式。可选的自刷新
功能是通过执行一个CBR刷新周期开始和
控股
RAS
LOW指定吨
RASS
.
在自刷新模式时，通过驱动终止
RAS
高
在t的最小时间
RPS
。这个延迟使得对于
任何内部刷新周期的完成，可能是在
进程的时间
RAS
低到高的转变。如果
DRAM控制器采用分布式刷新序列
在退出自刷新不要求脉冲串刷新。
然而，如果该DRAM控制器利用
RAS-只
or
爆刷新序列，所有2048行必须刷新
平均内部刷新率内，之前作的继续向
化的正常运行。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须对指定的最小时间
经t
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OE
都不满意。其结果是，在存取时间是
依赖于它们之间的定时关系
参数。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE ，
以先到为准
最后。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期（含周期的任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
注意：
1.自我刷新仅供S版。
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集成电路解决方案公司
DR026-0A 2001年9月4日
