摩托罗拉
半导体技术资料
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通过BC846ALT1 / D
通用晶体管
BC846ALT1,BLT1
BC847ALT1,
集热器
3
NPN硅
1
BASE
BLT1 ， CLT1通
BC850ALT1,BLT1,
CLT1
BC846 ， BC847和BC848的
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
BC846
65
80
6.0
100
BC847
BC850
45
50
6.0
100
BC848
BC849
30
30
5.0
100
2
辐射源
单位
V
V
V
MADC
1
2
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
225
1.8
R
q
JA
PD
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
器件标识
BC846ALT1 = 1A ; BC846BLT1 = 1B ; BC847ALT1 = 1E ; BC847BLT1 = 1F ;
BC847CLT1 = 1G ; BC848ALT1 = 1J ; BC848BLT1 = 1K ; BC848CLT1 = 1L
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压BC846A ，B
（ IC = 10 mA）的
BC847A ， B，C ， BC850A ， B，C
BC848A ， B，C ， BC849A ， B，C
集电极 - 发射极击穿电压BC846A ，B
（ IC = 10
A,
VEB = 0）的
BC847A ， B，C ， BC850A ， B，C
BC848A ， B，C ， BC849A ， B，C
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
m
A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0
m
A)
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850A ， B，C
BC848A ， B，C ， BC849A ， B，C
BC846A,B
BC847A,B,C
BC848A ， B，C ， BC849A ， B，C ， BC850A ， B，C
V（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
5.0
V
V（ BR ） CES
V
V（ BR ） CBO
V
V（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（ VCB = 30 V）
（ VCB = 30 V ， TA = 150 ° C）
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
ICBO
nA
A
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
