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IDT49C465/A
32位FLOW- THRU错误检测和纠正单位
军用和商用温度范围
术语的定义:
D
0
– D
31
CBI
0
- CBI
7
PCBI
0
- PCBI
7
FS
0
= FS
7
=
=
=
=
系统数据和/或存储器中的数据输入
校验字输入
部分校验字输入
最终内部综合症位
CMOS测试考虑
特殊的测试板的考虑,必须考虑到
账号申请高速CMOS产品的时候
自动测试环境。大输出电流为
切换很短的时间和正确的测试要求
该测试设置有最小电感和保证
零电压的理由。下面列出的技术将帮助
获得精确的测试结果,用户:
1)所有的输入端子应连接到一个电压电势
在测试过程中。如果悬空,设备可能发生振荡,
造成不当的设备操作和可能的闭锁。
2 )布局和去耦电容值是至关重要的。
每个物理的建立具有不同的电
特征和建议的各种
去耦电容的大小进行试验了。
电容应使用最小导线定位
长度。他们也应发给脱钩
电源线和被放置在尽可能靠近,以
DUT的电源引脚。
3 )设备的接地是正确的设备非常关键
测试。与使用多层电路板的性能
电源和地平面之间的径向解耦
有必要的。接地平面必须从维持
性能板到DUT接口板和接线
未使用的互连引脚到地平面是中建议
谁料。重型绞线应当用于
电源线,用双绞线被推荐
最小电感。
4 )为了保证数据表达标,输入阈值
应在静态环境中每个输入引脚进行测试。对
可用于测试和硬件引起的噪音, IDT recom-
门兹用V
IL
0V和V
IH
3V的交流测试。
函数方程:
下面的等式描述了所使用的术语
IDT49C465以确定局部checkbits的值
checkbits ,局部综合征和最终内部综合征。
注:所有“ ⊕ ”的符号表示“ EXCLUSIVE-
或“的函数。
PA = D
0
D
1
D
2
D
4
D
6
D
8
D
10
D
12
D
16
D
17
D
18
D
20
D
22
D
24
D
26
D
28
PB = D
0
D
3
D
4
D
7
D
9
D
10
D
13
D
15
D
16
D
19
D
20
D
23
D
25
D
26
D
29
D
31
PC = D
0
D
1
D
5
D
6
D
7
D
11
D
12
D
13
D
16
D
17
D
21
D
22
D
23
D
27
D
28
D
29
PD = D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
14
D
15
D
18
D
19
D
20
D
21
D
22
D
23
D
30
D
31
PE = D
8
D
9
D
10
D
11
D
12
D
13
D
14
D
15
D
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D
25
D
26
D
27
D
28
D
29
D
30
D
31
PF = D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
24
D
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D
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D
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D
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D
29
D
30
D
31
PG = D
8
D
9
D
10
D
11
D
12
D
13
D
14
D
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D
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D
17
D
18
D
19
D
20
D
21
D
22
D
23
PH
0
= D
0
D
4
D
6
D
7
D
8
D
9
D
11
D
14
D
17
D
18
D
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D
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D
26
D
28
D
29
D
31
PH
1
= D
1
D
2
D
3
D
5
D
8
D
9
D
11
D
14
D
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D
19
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D
24
D
25
D
27
D
30
PH
2
= D
0
D
4
D
6
D
7
D
10
D
12
D
13
D
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D
16
D
20
D
22
D
23
D
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D
28
D
29
D
31
11.7
15

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