IL221A/IL222A/IL223A
N
EW
PHOTODARLINGTON
小尺寸
表面贴装光耦合器
尺寸以英寸（毫米）
阳极1
.154±.005
C
L (3.91±.13)
.016 (.41)
.015±.002
(.38±.05)
.008 (.20)
.050 (1.27)
典型值。
.040 (1.02)
40°
7°
.058±.005
(1.49±.13)
.125±.005
(3.18±.13)
领导
共面性
±.0015
(.04)
马克斯。
阴极2
NC 3
NC 4
8 NC
7基地
6收藏家
5发射
特点
高电流传输比，我
F
= 1毫安，
IL221A ，100％的最小
IL222A ，200％的最小
IL223A ， 500 ％最低
耐压试验电压2500 VAC
RMS
电气连接特定阳离子类似
标准的6针接头
工业标准SOIC- 8表面
安装包
标准引脚节距， 0.05 ＆ QUOT ;
可在磁带和卷轴选项
（符合EIA标准RS481A ）
兼容双波峰焊，气相
和IR再溢流焊接
美国保险商实验室文件＃ E52744
（代码字母P ）
描述
该IL221A / IL222A / IL223A是一个高电流互感器
FER比（ CTR）光电耦合器与砷化镓
红外LED发射器和一个硅NPN photodar-
lington晶体管探测器。
该器件的点击率，在测试的1毫安LED电流
租。这种低驱动电流允许轻松连接
从CMOS到LSTTL或TTL 。
这是光电耦合器在标准建造
SOIC - 8英尺的打印，这使得它非常适合于
高密度的应用。除了消除
通孔的要求，这个包只
形式为表面贴装设备的标准。
最大额定值
辐射源
峰值反向电压..................................... 6.0 V
连续正向电流......................... 60毫安
在25℃ ............................ 90 mW的功耗
从25℃ ...................... 1.2毫瓦/ °C减免线性
探测器
集电极 - 发射极击穿电压............... 30 V
发射极 - 集电极击穿电压................. 5 V
集电极 - 基极击穿电压.................. 70 V
功耗...................................... 150毫瓦
从25℃ ...................... 2.0毫瓦/ °C减免线性
包
在25 ° C环境总包耗散
（LED +检测器） .................................... 240毫瓦
从25℃ ...................... 3.3毫瓦/ °C减免线性
存储温度...................- 55 ° C至+ 150°C
工作温度...............- 55 ° C至+ 100°C
焊接时间在260℃ ............................. 10秒。
.120±.005
(3.05±.13)
.240
(6.10)
引脚1号
.192±.005
(4.88±.13)
.004 (.10)
.008 (.20)
5 °最大。
R.010
（ 0.25 ）最高。
.020±.004
(.15±.10)
2 plc的。
特征
(T
A
=25°C)
符号
辐射源
正向电压
反向电流
电容
探测器
击穿电压
集电极 - 发射极
发射极 - 集电极
电压，
集电极 - 基
电容，
集电极 - 发射极
包
直流电流传输
比
IL221A
IL222A
IL223A
饱和电压，
集电极 - 发射极
隔离测试
电压
电容，
输入toOutput
性，
输入到输出
CTR
DC
100
200
300
V
CESAT
V
IO
2500
1
V
VAC
RMS
I
F
= 1毫安，
V
CE
=5 V
B
VCEO
B
VECO
BV
CBO
C
CE
30
5
70
3.4
pF
V
V
I
C
=100
A
I
E
=100
A
I
C
=10
A
V
CE
=10 V
V
F
I
R
C
O
1.0
0.1
25
1.5
100
V
A
pF
I
F
= 1毫安
V
R
=6.0 V
V
R
=0 V,
F = 1 MHz的
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
I
CE
= 0.5毫安，
I
F
= 1毫安
t为1秒。
C
IO
R
IO
0.5
100
pF
G
5–1
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