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规格: V
S
= + 5V单电源供电
在T
A
= + 25 ° C,R
L
= 10kΩ的连接到V
S
/ 2,参考引脚连接到V
S
/ 2,除非另有说明。
INA2132U
参数
失调电压
(1)
初始
与温度
条件
RTO
V
OS
dV
OS
/ DT
–2.5
80
(V+) –1
+0.25
(V+) –1
+0.25
典型值
±150
±2
最大
±500
INA2132UA
典型值
T
T
T
74
T
T
T
T
最大
±750
单位
V
μV/°C
V
dB
V
V
V
V
V
V
A
输入电压范围
共模电压范围
(2)
共模抑制
CMRR
产量
电压,正
积极
电源
额定电压
电压范围
静态电流
V
S
+5.5
90
(V+) –0.75
+0.06
(V+) –0.8
+0.12
+5
T
T
T
T
T
T
T
V
CM
= -2.5V至+ 5.5V ,R
S
= 0
R
L
= 100kΩ的对地
R
L
= 100kΩ的对地
R
L
= 10kΩ至接地
R
L
= 10kΩ至接地
+2.7
I
Q
I
O
= 0毫安
±155
+36
±185
T
T
T
T
T
产品规格一样INA2132U 。
注: ( 1 )包括放大器的输入偏置效应和失调电流。 ( 2)2( V-) -V
REF
& LT ; V
CM
< 2( (V + )-1) -V
REF
。欲了解更多详细信息,请参阅应用信息
部分。
引脚配置
顶视图
SO-14
绝对最大额定值
电源电压,V +至V- ........................................... ......................... 36V
输入电压范围............................................... ...........................
±80V
输出短路(接地) ..........................................连续....
工作温度................................................ .. -55 ° C至+ 125°C
存储温度................................................ ..... -55 ° C至+ 125°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
NC
1
14
REF A
-IN一
2
A
13
OUT A
+ IN A
3
12
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与AP-处理
propriate注意事项。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害,因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
V–
4
11
V+
+ IN B
5
B
10
感B
-IN B
6
9
OUT B
NC
7
8
REF B
NC =无连接
封装/订购信息
制图
(1)
235
& QUOT ;
235
& QUOT ;
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
记号
INA2132U
& QUOT ;
INA2132UA
& QUOT ;
订购
(2)
INA2132U
INA2132U/2K5
INA2132UA
INA2132UA/2K5
运输
媒体
轨道
磁带和卷轴
轨道
磁带和卷轴
产品
INA2132U
& QUOT ;
INA2132UA
& QUOT ;
SO- 14表面贴装
& QUOT ;
SO- 14表面贴装
& QUOT ;
注: ( 1 )有关详细的图纸和维表,请参见数据资料的最后,还是的Burr-Brown IC数据手册附录C 。 ( 2 )模型以斜杠( / )是
仅在磁带和卷轴中所示的数量(例如, / 2K5表示每卷2500设备) 。订购2500件“ INA2132U / 2K5 ”将得到一个单一的
2500件磁带和卷轴。有关详细的磁带和卷轴机械信息,请参阅对的Burr-Brown IC数据手册的附录B中。
3
INA2132

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