应用信息
图1示出操作所需的基本连接
的INA114 。有噪音或高阻抗的应用
电源可能需要去耦接近电容
如图所示的器件引脚。
输出被称为输出参考（参考文献）终端
这通常是接地的。这必须是低阻抗的
连接，以保证良好的共模抑制比。一个电阻
5Ω的tance串联REF引脚会引起典型的
设备降解为约80分贝CMR （G = 1）。
设定增益
该INA114的增益是通过连接一个外部设置
电阻R
G
:
UE的。这些精度和温度系数
电阻器被包括在所述增益精度和漂移specifi-
该INA114的阳离子。
外部增益的稳定性和温度漂移
设置电阻，R
G
，也影响收益。
G
的贡献，以
增益准确度和漂移可以从增益直接推断
等式（1） 。需要高增益低电阻值可以
使布线电阻非常重要的。插座添加到布线
性，这将有助于更多的增益误差（ possi-
在约100或收益布莱不稳定的增益误差）
更大的。
噪声性能
该INA114提供了在大多数应用中非常低的噪声。
对于差分信号源阻抗小于1kΩ的，该INA103
可以提供更低的噪音。对于源阻抗较大
超过50kΩ的，该INA111 FET输入仪表扩增
费里可能会提供更低的噪音。
该INA114的低频噪声大约是
0.4μVp -P 0.1测量到10Hz 。这大约是
十分之一的“低噪音”噪声斩波稳定扩增
网络连接器。
V+
0.1F
引脚数是
对于DIP封装。
–
V
IN
2
G
=
1
+
50 k
R
G
(1)
通常使用的增益和电阻值示于
图1 。
在50kΩ的术语在公式（1）来自于所述的总和
两个内部反馈电阻。这些片上的金属膜
其中电阻经过激光调整，精确的绝对val-
7
INA114
A
1
25k
25k
25k
–
V
O
= G （V
IN
– V
IN
)
+
过电压
保护
1
G=1+
A
3
6
50k
R
G
R
G
8
25k
A
2
25k
+
负载
5
25k
V
O
–
+
V
IN
3
过电压
保护
4
0.1F
所需
收益
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
R
G
()
无连接
50.00k
12.50k
5.556k
2.632k
1.02k
505.1
251.3
100.2
50.05
25.01
10.00
5.001
精确到1 ％R
G
()
无连接
49.9k
12.4k
5.62k
2.61k
1.02k
511
249
100
49.9
24.9
10
4.99
V–
–
V
IN
还制定简化形式：
R
G
+
V
IN
INA114
REF
V
O
图1.基本的连接。
INA114
8
