数据表号PD60162版本V
IR2106(4)
(S)
特点
高端和低端驱动器
套餐
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V （ IR2106 （ 4 ） ）
欠压锁定两个通道
3.3V ， 5V和15V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
输出同相输入端（ IR2106 ）
8引脚SOIC
8引脚PDIP
14引脚SOIC
14引脚PDIP
描述
的IR2106 （4）（ S）的高电压，
交
高速功率MOSFET和
输入
传导
死区时间
接地引脚
吨/吨OFF
部分
IGBT驱动器具有独立的高
预防
逻辑
逻辑
和低侧参考输出信
2106/2301
COM
HIN / LIN
no
无
220/200
内尔斯。专有的HVIC和锁存器
21064
VSS / COM
免疫CMOS技术使
2108
内部540ns
COM
HIN / LIN
是的
220/200
可编程0.54 5
s
21084
VSS / COM
坚固耐用的单片式结构。
2109/2302
内部540ns
COM
逻辑输入兼容
IN / SD
是的
750/200
可编程0.54 5
s
21094
VSS / COM
标准CMOS或LSTTL输出，
是的
160/140
内部为100ns
HIN / LIN
COM
2304
下降到3.3V逻辑。输出driv-
器具有高脉冲电流缓冲级，最小驱动器跨导。浮动
通道可用于驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT哪些
工作频率高达600伏。
2106/2301//2108//2109/2302/2304
功能比较
典型连接
V
CC
高达600V
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2106
HO
V
CC
HIN
高达600V
V
CC
HIN
LIN
V
B
V
S
TO
负载
（请参阅铅分配其是否
RECT引脚配置） 。这个/这些
图（ s）显示电气连接
系统蒸发散而已。请参考我们的应用程序
阳离子笔记和DesignTips的
正确的电路板布局。
LIN
IR21064
COM
LO
V
SS
V
SS
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