PD - 94170
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
D
IRF2807S
IRF2807L
V
DSS
= 75V
R
DS （ ON）
= 13m
G
S
I
D
= 82A
先进的HEXFET
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和尽可能低的导通电阻，在任何
现有的表面贴装封装。对D
2
白是适合
由于其低的内部连接的高电流的应用
性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面
安装应用程序。
通孔版（ IRF2807L ）可用于低
配置文件的应用程序。
D
2
PAK
IRF2807S
TO-262
IRF2807L
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
82
58
280
230
1.5
± 20
43
23
5.9
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.65
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
02/14/02
