IRF1407S/IRF1407L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
U
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
Q
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。
75
–––
–––
2.0
74
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.09
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
160
35
54
11
150
150
140
4.5
7.5
5600
890
190
5800
560
1100
马克斯。
–––
–––
0.0078
4.0
–––
20
250
200
-200
250
52
81
–––
–––
–––
–––
–––
单位
V
V /°C的
V
S
A
nA
nC
ns
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
X
V
GS
= 10V ，我
D
= 78A
T
V
DS
= 10V ，我
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 78A
X
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 78A
V
DS
= 60V
V
GS
= 10VTX
V
DD
= 38V
I
D
= 78A
R
G
= 2.5
V
GS
= 10V
TX
D
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
而中心的模具接触
S
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0KHz ，见图。五
X
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0KHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 60V ， = 1.0KHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
源极 - 漏极额定值和特性
分钟。典型值。马克斯。单位
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 100V
展示
A
G
整体反转
––– ––– 520
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 78A ，V
GS
= 0V ？吨
––– 110 170
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 78A
––– 390 590
NC的di / dt = 100A / μs的
TX
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
Q
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
R
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.13mH
R
G
= 25, I
AS
= 78A 。 （参见图12）。
S
I
SD
≤
78A ， di / dt的
≤
320A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
T
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
U
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
V
？计算
基于最大允许连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
W
？有限公司
经t
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
X
？用途
IRF1407数据和试验条件。
2
www.irf.com
