以前的数据表
IRHN7130 ， IRHN8130设备
重复评价;脉冲宽度有限的
最高结温。 （图26）
请参阅当前HEXFET可靠性报告。
@ VDD = 25V ，启动T J = 25°C ，峰值IL = 14A ，
EAS = 0.5 * L * （我
L2
） * [ BV DSS / （ BV DSS - VDD ） ]
VGS = 12V， 25
≤
RG
≤
200
ISD
≤
图14A中， di / dt的
≤
140 A / μs的，
VDD
≤
BV DSS ， TJ
≤
150°C
建议RG = 7.5Ω
脉冲宽度
≤
300
s;
占空比
≤
2%
K / W = ° C / W
W / K = W / ℃，
指数
下一页数据表
辐射特性
总剂量辐照VGS偏置。
12伏VGS应用和VDS照射时= 0
每MIL -STD- 750方法1019 （图8A）
总剂量辐照VDS偏置。
VDS = 0.8 ×额定BV DSS （预辐射）
每次照射过程中的应用和V GS = 0
MLL - STD- 750方法1019 （图8B）
使用闪光X射线进行该测试
源中的电子束模式运行（能源
2.5兆电子伏） ， 30纳秒的脉冲。 （图9）
研究由美国航天局资助。进行评价
在布鲁克海文国家实验室。
所有预辐射后辐射测试
条件
相同
方便直接
对于比较电路应用。
案例外形和尺寸 - SMD - 1
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M - 1982
2.控制尺寸： INCH
3.尺寸以毫米（英寸）
4维度包括金属闪光
5尺寸不包括金属闪光
全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ，电话： （ 310 ） 322 3331
欧洲总部：
赫斯特绿色， Oxted ，萨里RH8 9BB ，英国电话： + 44 1883 732020
IR加拿大：
7321维多利亚公园大道，套房201 ，安大略省马克姆L3R 2Z8 ，电话： （ 905 ） 475 1897
IR德国：
Saalburgstrasse 157 ， 61350巴特洪堡电话： + 49 6172 96590
IR意大利：
通过利古里亚49 ， 10071保尔格罗，都灵电话： + 39 11 451 0111
IR FAR EAST ：
。 K&H大厦2楼， 3-30-4西Ikeburo 3丁目，丰岛奇，日本东京171号电话： 81 3 3983 0086
IR东南亚：
315欧南路， ＃ 10-02檀文LIAT大厦，新加坡0316电话： 65 221 8371
http://www.irf.com/
数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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