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指数
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PD -9.1255
IRL630
HEXFET
功率MOSFET
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
逻辑电平栅极驱动
R
DS （ ON）
在V指定
GS
= 4V & 5V
150 ° C工作温度
快速开关
易于并联的
描述
国际整流器第三代HEXFETs提供设计师
与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低导通
性和成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业
应用在功率耗散水平到约50瓦。低
热电阻及TO -220的低包成本有助于其宽
接受整个行业。
V
DSS
= 200V
R
DS （ ON）
= 0.40
I
D
= 9.0A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 5.0V
连续漏电流， V
GS
@ 5.0V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
9.0
5.7
36
74
0.59
±10
250
9.0
7.4
5.0
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
分钟。
––––
––––
––––
典型值。
––––
0.50
––––
马克斯。
1.7
––––
62
单位
° C / W
TO ORDER
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