$ GYDQFHG 3RZHU 026 ）（7
特点
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
低漏电流： 10μA （最大值） @ V
DS
= 200V
低
DS （ ON）
： 1.185Ω （典型值）
1
2
3
IRL610A
BV
DSS
= 200 V
R
DS （ ON）
= 0.046
I
D
= 3.3 A
TO-220
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25°C)
连续漏电流（T
C
=100°C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
C
=25°C)
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8案件从5秒
(2)
(1)
(1)
(3)
(1)
价值
200
3.3
2.1
12
±20
29
3.3
3.3
5.0
33
0.26
- 55 + 150
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
300
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
特征
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
典型值。
--
0.5
--
马克斯。
3.81
--
62.5
° C / W
单位
版本B
1999仙童半导体公司
1
